В России произошёл значительный прорыв в области микроэлектроники. Недавно отечественные специалисты, при поддержке белорусских коллег, успешно изготовили опытный образец литографической установки, способной производить полупроводниковую продукцию по технологическим нормам 130 нм. Об этом рассказал первый вице-премьер РФ Денис Мантуров на форуме «Микроэлектроника 2026».
Одним из ключевых достижений в рамках этого проекта стал отечественный эксимерный лазер, специально разработанный для 130-нм литографа. По словам Мантурова, это достижение позволяет России присоединиться к числу стран, обладающих такой технологической базой. Министр промышленности и торговли Антон Алиханов добавил, что приемочные испытания оборудования запланированы на осень 2026 года.
Параллельно в России активно развивается электронно-лучевая литография, необходимая для производства фотошаблонов, используемых в изготовлении микрочипов. В Зеленограде подходит к концу строительство научно-технологического центра, где будет организован выпуск таких изделий. В будущем планируется постепенный переход на более тонкие топологические нормы, вплоть до 28 нм.
