Нанкинские исследователи представили прорыв в микроэлектронике
Учёные из Нанкинского университета (Китай) разработали инновационный метод создания сверхминиатюрных транзисторов. Их работа решает критическую проблему в отрасли — подключение электрических контактов к двумерным полупроводникам, необходимым для развития электроники нового поколения.
Научная группа под руководством Синьжаня Вана сосредоточилась на преодолении ограничений, связанных с контактным сопротивлением. Ранее сокращение размеров устройств ниже 1 нм упиралось в невозможность создать достаточно компактные и эффективные соединительные элементы для материалов вроде дисульфида молибдена (MoS₂).
Используя молекулярно-лучевую эпитаксию в условиях сверхвысокого вакуума, исследователи вырастили кристаллы сурьмы (Sb) непосредственно на монослойных плёнках MoS₂. Этот подход обеспечил формирование контактов с уникальной кристаллической ориентацией Sb(012), которые продемонстрировали рекордно низкое сопротивление даже при длине 18 нм.
Как пояснил соавтор работы Вэйшен Ли, контролируемый нагрев подложки позволил атомам сурьмы занять оптимальное положение, что резко повысило качество соединения. Длина переноса заряда составила всего 13 нм — показатель, соответствующий требованиям для создания 1-нанометровых процессоров.
Достижение особенно значимо на фоне предыдущих неудач: традиционные технологии ван-дер-ваальсовых контактов не справлялись с задачей при длине менее 60 нм. Новая стратегия открывает путь к разработке энергоэффективных и компактных электронных компонентов, что может ускорить появление устройств следующего поколения.
Результаты исследования опубликованы в авторитетном журнале Nature Electronics.
