Китайские научные центры представили прорывные разработки в микроэлектронике
Ведущие исследовательские институты Китая добились значительных успехов в создании перспективных технологий для электронной промышленности. В Нанкине учёные Школы микроэлектроники Нанкинского университета науки и технологий разработали уникальный метод прогнозирования коммутационных потерь в силовых модулях на основе карбида кремния. Используя многослойные нейронные сети, метод позволяет с погрешностью всего 1,13% определять потери, анализируя статические параметры вроде порогового напряжения или тока утечки. Время прогнозирования для одного модуля составляет менее 5 мс, что подтвердилось при тестировании на платформе NVIDIA.
В Пекине сотрудники Института микроэлектроники Китайской академии наук совместно с Пекинской академией SAMT и Шаньдунским университетом создали инновационную ячейку памяти 4F² 2T0C с двойным затвором. Технология самоокисления металла обеспечивает стабильность элементов при 85°C и поддержку 4-битного хранения данных, что в перспективе повысит ёмкость запоминающих устройств.
Группа специалистов из Гонконга, Ухани и Китайской академии наук представила композитные подложки 4H/3C-SiC, снизив их удельное сопротивление до 0,39 мОм·см — в 45 раз меньше, чем у традиционных аналогов. Это решает проблему эффективности низковольтных силовых устройств.
Южный университет науки и технологий в Шэньчжэне достиг прогресса в разработке передатчиков для оптической связи. Их конструкция с линейным драйвером тройного напряжения демонстрирует скорость передачи до 112 Гб/с, а приёмник PAM-4 с алгоритмом M-XTCR второго порядка уменьшает помехи на 34% при скорости 112 Гбит/с.
